IRF7205TRPBF vs BSL207SPH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7205TRPBF tarafından Infineon ve BSL207SPH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF7205TRPBF BSL207SPH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type P-Channel MOSFET P-Channel
Technology IR HEXFET (4th generation) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C -4.6 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 70 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V 130 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.0 V to -3.0 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
Güç Tüketimi (TC=25°C) 2.5 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +150 °C —
Paket SO-8 (8-SO) TSOP-6 (PG-TSOP6-6)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS / Lead-Free Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Drain to Source Voltage (VDS) — -20 V
Continuous Drain Current (ID) at 25C — 6 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 2 W (Ta)
RDS(on) Max @ VGS = -4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-4.5V]
RDS(on) Max @ VGS = -2.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-2.5V]
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 2.5 V, 4.5 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
İşletim Sıcaklığı — -55C to +150C
Series — OptiMOS™
Automotive Qualification — AEC-Q101
RoHS Durumu — Compliant
Pin Sayısı — 6

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin