IRF7205TRPBF vs BSL207SPH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7205TRPBF بذریعہ Infineon اور BSL207SPH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7205TRPBF BSL207SPH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type P-Channel MOSFET P-Channel
Technology IR HEXFET (4th generation) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C -4.6 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 70 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V 130 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.0 V to -3.0 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) 2.5 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +150 °C —
پیکیج SO-8 (8-SO) TSOP-6 (PG-TSOP6-6)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS / Lead-Free Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Drain to Source Voltage (VDS) — -20 V
Continuous Drain Current (ID) at 25C — 6 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 2 W (Ta)
RDS(on) Max @ VGS = -4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-4.5V]
RDS(on) Max @ VGS = -2.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-2.5V]
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 2.5 V, 4.5 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55C to +150C
Series — OptiMOS™
Automotive Qualification — AEC-Q101
RoHS اسٹیٹس — Compliant
پن کی تعداد — 6

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں