IRF7389TRPBF vs IRF7343TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7389TRPBF tarafından Infineon ve IRF7343TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRF7389TRPBF | IRF7343TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Polarity | N and P Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (N-Ch, Id) | 7.3 A | — |
| Continuous Drain Current (P-Ch, Id) | -5.3 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max | 29 mOhm | — |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5 W | — |
| Configuration | Dual N+P Complementary Half-Bridge | — |
| Technology | HEXFET Generation V (IR MOSFET) | IR MOSFET (HEXFET Generation V) |
| Paket | 8-SO (SOIC-8) | 8-SOIC (SO-8) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -55C to +150C | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Lead Free / RoHS | Lead Free / RoHS Compliant | — |
| MSL Seviyesi | 1 | — |
| Manufacturer | Infineon (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Status | — | Active |
| Transistor Türü | — | N and P-Channel Complementary MOSFET Array |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel | — | 55 V |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) - N-Channel | — | 4.7 A |
| Continuous Drain Current (ID) - P-Channel | — | 3.4 A |
| On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel | — | 0.043 ohm (typical per chipdig.com) |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 50 mOhm |
| Power Dissipation (PD) | — | 2 W |
| Lead-Free | — | Yes |
| RoHS Compliance | — | Compliant |