IRF7389TRPBF vs IRF7343TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRF7389TRPBF bằng Infineon và IRF7343TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF - 30V Dual N/P HEXFET MOSFET Array | Infineon

IRF7389TRPBF - 30V Dual N/P HEXFET MOSFET Array | Infineon

IRF7389TRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF - 55V Dual N/P-Channel MOSFET | Infineon

IRF7343TRPBF - 55V Dual N/P-Channel MOSFET | Infineon

IRF7343TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRF7389TRPBF IRF7343TRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Transistor Polarity N and P Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (N-Ch, Id) 7.3 A —
Continuous Drain Current (P-Ch, Id) -5.3 A —
On-Resistance RDS(on) Max 29 mOhm —
Power Dissipation (Pd) 2.5 W —
Configuration Dual N+P Complementary Half-Bridge —
Technology HEXFET Generation V (IR MOSFET) IR MOSFET (HEXFET Generation V)
Hộp 8-SO (SOIC-8) 8-SOIC (SO-8)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động -55C to +150C —
Avalanche Rated Yes —
Lead Free / RoHS Lead Free / RoHS Compliant —
Cấp MSL 1 —
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Status — Active
Kiểu transitor — N and P-Channel Complementary MOSFET Array
Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel — 55 V
Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel — 55 V
Continuous Drain Current (ID) - N-Channel — 4.7 A
Continuous Drain Current (ID) - P-Channel — 3.4 A
On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel — 0.043 ohm (typical per chipdig.com)
On-Resistance (RDS(on)) max — 50 mOhm
Power Dissipation (PD) — 2 W
Lead-Free — Yes
RoHS Compliance — Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá