IRF7854TRPBF vs IPT012N08NF2SATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7854TRPBF tarafından Infineon ve IPT012N08NF2SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRF7854TRPBF | IPT012N08NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | $0,48 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 10 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25°C | 2.5 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 13.4 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max | 4.9 V | — |
| Total Gate Charge Qg | 27 nC | — |
| Paket | SO-8 | PG-HSOF-8-10 (HSOF) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (planar N-channel) | Trench MOSFET (OptiMOS-derived) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +150°C (TJ) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix, lead-free) | — |
| Qualification | JEDEC industrial, Normal level | — |
| Solder Process | Reflow and wave-solderable | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPT012N08NF2SATMA1 |
| Product Family | — | StrongIRFET™ |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 39 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 351 A |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V | — | 1.2 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Max | — | 3.8 V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 300 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 °C to +175 °C |
| Pin Count (incl. tab) | — | 9 pins (8+tab) |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Packing | — | Tape & Reel (T/R) |