IRF7854TRPBF vs IPT012N08NF2SATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF7854TRPBF מאת Infineon ו IPT012N08NF2SATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRF7854TRPBF | IPT012N08NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | $0.48 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 10 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25°C | 2.5 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 13.4 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max | 4.9 V | — |
| Total Gate Charge Qg | 27 nC | — |
| מארז | SO-8 | PG-HSOF-8-10 (HSOF) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (planar N-channel) | Trench MOSFET (OptiMOS-derived) |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55°C to +150°C (TJ) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix, lead-free) | — |
| Qualification | JEDEC industrial, Normal level | — |
| Solder Process | Reflow and wave-solderable | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPT012N08NF2SATMA1 |
| Product Family | — | StrongIRFET™ |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 39 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 351 A |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V | — | 1.2 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Max | — | 3.8 V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 300 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55 °C to +175 °C |
| Pin Count (incl. tab) | — | 9 pins (8+tab) |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Packing | — | Tape & Reel (T/R) |