IRF7854TRPBF vs IPT012N08NF2SATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7854TRPBF بذریعہ Infineon اور IPT012N08NF2SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRF7854TRPBF | IPT012N08NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $0.48 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 10 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25°C | 2.5 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 13.4 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max | 4.9 V | — |
| Total Gate Charge Qg | 27 nC | — |
| پیکیج | SO-8 | PG-HSOF-8-10 (HSOF) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (planar N-channel) | Trench MOSFET (OptiMOS-derived) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55°C to +150°C (TJ) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix, lead-free) | — |
| Qualification | JEDEC industrial, Normal level | — |
| Solder Process | Reflow and wave-solderable | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPT012N08NF2SATMA1 |
| Product Family | — | StrongIRFET™ |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 39 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 351 A |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V | — | 1.2 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Max | — | 3.8 V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 300 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 °C to +175 °C |
| Pin Count (incl. tab) | — | 9 pins (8+tab) |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| Packing | — | Tape & Reel (T/R) |