IRFB4310PBF vs IRF1407PBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFB4310PBF tarafından Infineon ve IRF1407PBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFB4310PBF IRF1407PBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (stripe-planar MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 130 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissition (PD) at Tc=25C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 5.6 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] —
Total Gate Charge (Qg) 170 nC —
Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction) -55 C to +175 C
Paket TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole, 3 leads)
Montaj Türü Through Hole Through Hole
Avalanche Rated Yes —
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes (Pb-free PBF suffix) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 130 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 330 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 7.8 mOhm (typical)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS threshold typical/min/max]
Gate Charge (Qg) — 160 nC (typical)
Maximum Junction Temperature — 175 C
Lead-Free / RoHS — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin