IRFB4310PBF vs IRF1407PBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFB4310PBF بذریعہ Infineon اور IRF1407PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRFB4310PBF | IRF1407PBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (stripe-planar MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 130 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum Power Dissition (PD) at Tc=25C | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 7 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | 5.6 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 170 nC | — |
| Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C (junction) | -55 C to +175 C |
| پیکیج | TO-220AB (through-hole) | TO-220AB (through-hole, 3 leads) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Through Hole |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes (Pb-free PBF suffix) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 130 A |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 330 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 7.8 mOhm (typical) |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS threshold typical/min/max] |
| Gate Charge (Qg) | — | 160 nC (typical) |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| Lead-Free / RoHS | — | Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) |
| Avalanche Rating | — | Repetitive avalanche rated |