IRFH5015TRPBF vs IQE022N06LM5CGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFH5015TRPBF tarafından Infineon ve IQE022N06LM5CGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFH5015TRPBF IQE022N06LM5CGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET (HEXFET) N-Channel Power MOSFET (Enhancement Mode)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 10 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 31 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 33 nC —
Power Dissipation (TA=25C) 3.6 W —
Power Dissipation (TC=25C) 156 W —
Gate Drive Voltage (VGS recommended) 10 V —
Paket 8-PQFN (5x6) SuperSO8 PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in body diode —
İşletim Sıcaklığı -55C to +150C (TJ max) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_A=25C — 24 A
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C — 151 A
R_DS(on) (typical, V_GS=10V) — 2.2 mΩ
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) value]
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: Q_G value]
Power Dissipation (T_A) — 2.5 W
Power Dissipation (T_C) — 100 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C
Pin Sayısı — 9 (with exposed thermal pad)
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin