IRFH8318TRPBF vs IRFR3806TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFH8318TRPBF tarafından Infineon ve IRFR3806TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFH8318TRPBF IRFR3806TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFH8318TRPBF —
Technology StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 120 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 41 nC 22 nC
Power Dissipation (Ta) 3.6 W —
Power Dissipation (Tc) 59 W —
Paket PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55°C to +150°C —
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi 1 —
Description Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters —
Transistor Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 43 A
On-State Resistance RDS(on) max — 15.8 mOhm at VGS = 10 V
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C — 71 W
Paket / Kas — TO-252AA (DPAK)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Number of Units in IC — 1
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)
Avalanche Rated — Yes (HEXFET family)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin