IRFH8318TRPBF vs IRFR3806TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFH8318TRPBF بذریعہ Infineon اور IRFR3806TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF - 30V N-Ch StrongIRFET, 3.1mΩ | Infineon

IRFH8318TRPBF - 30V N-Ch StrongIRFET, 3.1mΩ | Infineon

IRFH8318TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFH8318TRPBF IRFR3806TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFH8318TRPBF —
Technology StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 120 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 41 nC 22 nC
Power Dissipation (Ta) 3.6 W —
Power Dissipation (Tc) 59 W —
پیکیج PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55°C to +150°C —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL لیول 1 —
Description Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters —
Transistor Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 43 A
On-State Resistance RDS(on) max — 15.8 mOhm at VGS = 10 V
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C — 71 W
پیکیج / کیس — TO-252AA (DPAK)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +175 C
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Number of Units in IC — 1
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)
Avalanche Rated — Yes (HEXFET family)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں