IRFP260MPBF vs IRFP2907PBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFP260MPBF tarafından Infineon ve IRFP2907PBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFP260MPBF IRFP2907PBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) HEXFET Stripe Planar DMOS (N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max 40 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Input Capacitance Ciss 1560 pF —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C —
Paket / Kas TO-247AC (3-lead through-hole) —
Montaj Türü Through Hole —
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Avalanche Rated Yes Yes (repetitive avalanche rated)
MSL Seviyesi Not Applicable (through-hole) —
Part Number — IRFP2907PBF
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 75 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25 C — 209 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (R_DS(on)) — 4.5 mOhm at V_GS = 10 V
Power Dissipation (P_D) at T_C = 25 C — 470 W
Total Gate Charge (Q_g) — 410 nC
Maximum Junction Operating Temperature — +175 C
Package / Mounting Type — TO-247AC (Through Hole)
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source)
RoHS Compliance — Yes (Pb-free)
Body Diode — Integral (no external anti-parallel diode required)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin