IRFP260MPBF vs IRFP2907PBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFP260MPBF מאת Infineon ו IRFP2907PBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFP260MPBF IRFP2907PBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) HEXFET Stripe Planar DMOS (N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max 40 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Input Capacitance Ciss 1560 pF —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg] —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +175C —
מארז / Case TO-247AC (3-lead through-hole) —
סוג הרכבה Through Hole —
סטטוס RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Avalanche Rated Yes Yes (repetitive avalanche rated)
רמת MSL Not Applicable (through-hole) —
Part Number — IRFP2907PBF
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 75 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25 C — 209 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (R_DS(on)) — 4.5 mOhm at V_GS = 10 V
Power Dissipation (P_D) at T_C = 25 C — 470 W
Total Gate Charge (Q_g) — 410 nC
Maximum Junction Operating Temperature — +175 C
Package / Mounting Type — TO-247AC (Through Hole)
מספר פינים — 3 (Gate, Drain, Source)
RoHS Compliance — Yes (Pb-free)
Body Diode — Integral (no external anti-parallel diode required)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר