IRFR120NTRLPBF vs IRFR5305TRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR120NTRLPBF tarafından Infineon ve IRFR5305TRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR120NTRLPBF IRFR5305TRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET fifth-generation planar MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 9.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 210 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 48 W —
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C —
Avalanche Energy Rated Yes (fully avalanche rated) —
Paket PG-TO252-3 (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Finish Yes (Pb-free) —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -31 A
RDS(on) max at VGS=-10V — 65 mΩ
RDS(on) max at VGS=-5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +175C
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free, suffix "PBF")
Tape & Reel Orientation — Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin