IRFR220NTRLPBF vs IRLR120NTRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR220NTRLPBF tarafından Infineon ve IRLR120NTRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF - 200V 5A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR220NTRLPBF - 200V 5A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR220NTRLPBF ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR220NTRLPBF IRLR120NTRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity N-Channel —
Mode Enhancement —
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 200 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 5 A 10 A
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed Idm]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.800 ohm (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] 13.3 nC
Gate-to-Drain Charge (Qgd) Low (per datasheet - HEXFET design) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 43 W 48 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) -55C to +175C (junction)
Paket TO-252AA (DPAK), 2 Leads + Tab, SC-63 TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 1
RoHS Durumu Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Packaging Tape & Reel (Left orientation - TRLPBF) —
Avalanche Rated Yes (HEXFET ruggedized design) —
Technology Family HEXFET, Planar, Generation 3 —
FET Type — N-Channel MOSFET
Technology — HEXFET (Fifth Generation, planar)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C]
Rds(on) Max at Vgs=10V — 185 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)]
Avalanche Energy Rating — Fully avalanche rated
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin