IRFR3710ZTRPBF vs IRFR4105TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR3710ZTRPBF tarafından Infineon ve IRFR4105TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR3710ZTRPBF IRFR4105TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 18 mOhm —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 140 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (5th generation IR MOSFET)
Paket TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant (lead-free, PBF suffix)
Lead-Free Yes —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 55 V
Continuous Drain Current (I_D at Tc) — 27 A
On-Resistance (R_DS(on) max at V_GS=10V) — 45 milliohm
Gate-Source Voltage (V_GS max) — 20 V
Total Gate Charge (Q_G) — 22.7 nC
Power Dissipation (P_D at Tc) — 68 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Packaging Type — Tape and Reel (TRPBF)
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Energy (E_AS) — [DATA_NEEDED: E_AS rating]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin