IRFR3710ZTRPBF vs IRFR4105TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR3710ZTRPBF توسط Infineon و IRFR4105TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR3710ZTRPBF IRFR4105TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 18 mOhm —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 140 W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (5th generation IR MOSFET)
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant (lead-free, PBF suffix)
Lead-Free Yes —
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 55 V
Continuous Drain Current (I_D at Tc) — 27 A
On-Resistance (R_DS(on) max at V_GS=10V) — 45 milliohm
Gate-Source Voltage (V_GS max) — 20 V
Total Gate Charge (Q_G) — 22.7 nC
Power Dissipation (P_D at Tc) — 68 W
محدوده دمای کاری — -55C to +175C
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Packaging Type — Tape and Reel (TRPBF)
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Energy (E_AS) — [DATA_NEEDED: E_AS rating]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت