IRFR540ZTRPBF vs IRFR540ZTRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR540ZTRPBF tarafından Infineon ve IRFR540ZTRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IRFR540ZTRLPBF IRFR540ZTRLPBF - 100V 35A N-Channel MOSFET | Infineon

IRFR540ZTRLPBF - 100V 35A N-Channel MOSFET | Infineon

IRFR540ZTRLPBF ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) 35 A (at Tc) —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance Rds(on) Max 28.5 mOhm at Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Vgs(th) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) 39 nC 39 nC
Power Dissipation (Pd) 91 W (at Tc) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C (junction) —
Paket TO-252AA (DPAK) surface mount TO-252AA (DPAK) surface mount
Technology IR MOSFET IR MOSFET™ / HEXFET®
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Gate, Drain, Source)
MSL Seviyesi 1 (unlimited floor life at <30 C / 85% RH) —
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 35 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 110 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 28.5 mΩ max at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: ±V rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical V]
Power Dissipation (PD) at TC — 91 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Packaging — Tape & Reel (TR-L), 800-piece leader/trailer

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin