IRFR5410TRRPBF vs IRFR5410TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR5410TRRPBF tarafından Infineon ve IRFR5410TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity P-Channel P-Channel
FET Type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) —
Technology HEXFET (5th Generation) HEXFET (advanced process, Gen 5)
VDS (Drain-Source Voltage) -100 V —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
VGS(th) (Gate Threshold) -2 V to -4 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at 100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max at VGS=-10V 205 mΩ —
RDS(on) typical at VGS=-10V 26 mΩ (per Mouser listing for IRFR5410TRPBF) —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 66 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C —
Paket TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) —
Drain-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C — -13 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V — 205 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) typ — 70 nC
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C — 66 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +150 °C (TJ)
Lead-Free / RoHS Status — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]
RDS(on) Test Conditions — VGS = -10 V, ID = -7.0 A

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin