IRFR7546TRPBF vs IRFH5015TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR7546TRPBF tarafından Infineon ve IRFH5015TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR7546TRPBF IRFH5015TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET IR MOSFET (HEXFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) 20 V (max) —
Drain Current (ID) at TC=25C 71 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C (bond-wire limited) 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10V 7.9 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] 33 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 99 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Paket DPAK (TO-252AA) 8-PQFN (5x6) SuperSO8
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / PBF Yes (TRPBF suffix) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS single-pulse] —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 10 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 31 mOhm
Power Dissipation (TA=25C) — 3.6 W
Power Dissipation (TC=25C) — 156 W
Gate Drive Voltage (VGS recommended) — 10 V
Configuration — Single with built-in body diode
İşletim Sıcaklığı — -55C to +150C (TJ max)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin