IRFR7546TRPBF vs IRFH5015TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFR7546TRPBF bằng Infineon và IRFH5015TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFR7546TRPBF IRFR7546TRPBF - 60V StrongIRFET N-MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR7546TRPBF - 60V StrongIRFET N-MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR7546TRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF - 150V N-Ch 31mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5015TRPBF - 150V N-Ch 31mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5015TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFR7546TRPBF IRFH5015TRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET IR MOSFET (HEXFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) 20 V (max) —
Drain Current (ID) at TC=25C 71 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C (bond-wire limited) 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10V 7.9 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] 33 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 99 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55C to +175C —
Hộp DPAK (TO-252AA) 8-PQFN (5x6) SuperSO8
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / PBF Yes (TRPBF suffix) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS single-pulse] —
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 10 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 31 mOhm
Power Dissipation (TA=25C) — 3.6 W
Power Dissipation (TC=25C) — 156 W
Gate Drive Voltage (VGS recommended) — 10 V
Configuration — Single with built-in body diode
Nhiệt độ hoạt động — -55C to +150C (TJ max)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá