IRFR7546TRPBF vs IRFH5015TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR7546TRPBF بذریعہ Infineon اور IRFH5015TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFR7546TRPBF IRFR7546TRPBF - 60V StrongIRFET N-MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR7546TRPBF - 60V StrongIRFET N-MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR7546TRPBF ✓ فعال
Infineon
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF - 150V N-Ch 31mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5015TRPBF - 150V N-Ch 31mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5015TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR7546TRPBF IRFH5015TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET IR MOSFET (HEXFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) 20 V (max) —
Drain Current (ID) at TC=25C 71 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C (bond-wire limited) 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10V 7.9 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] 33 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 99 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
پیکیج DPAK (TO-252AA) 8-PQFN (5x6) SuperSO8
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / PBF Yes (TRPBF suffix) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS single-pulse] —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 10 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 31 mOhm
Power Dissipation (TA=25C) — 3.6 W
Power Dissipation (TC=25C) — 156 W
Gate Drive Voltage (VGS recommended) — 10 V
Configuration — Single with built-in body diode
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55C to +150C (TJ max)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں