IRFR9024NTRLPBF vs IRFR5505TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR9024NTRLPBF tarafından Infineon ve IRFR5505TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR9024NTRLPBF IRFR5505TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity P-Channel P-Channel
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -11 A -18 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 175 mOhm 110 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V +/-20 V
Power Dissipation (PD) at TC=25C 38 W —
Gate Charge (Qg) typical 12.7 nC —
Package Type TO-252AA (DPAK) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Drain, Gate, Source + Tab) —
Technology HEXFET (Generation 5) IR MOSFET (HEXFET 5th generation)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C —
Lead-Free / RoHS Yes (LPBF suffix) —
Reel Orientation Left (TRL suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Series — HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — -55 V
Pulsed Drain Current (IDM) — -72 A
Total Gate Charge (Qg) — 21.3 nC
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 57 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 2.2 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 50 C/W (typical, DPAK on 1 oz copper)
Paket — TO-252AA (DPAK), surface mount
RoHS Durumu — Compliant (PBF suffix)
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin