IRFR9024NTRPBF vs IRLU024NPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR9024NTRPBF tarafından Infineon ve IRLU024NPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR9024NTRPBF IRLU024NPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) $0,17 —
Polarity P-Channel —
VDS (Drain-Source Voltage) -55 V —
Continuous Drain Current (Tc=25C) -11 A —
Pulsed Dræn Akımı [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
VGS(th) (Threshold Voltage) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
RDS(on) Max at VGS=-10V 175 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 12.7 nC 10 nC (typical, per listing)
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) 38 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C -55C to +175C
Paket TO-252AA (DPAK) IPAK (TO-251AA), Through Hole
Montaj Türü Surface Mount Through Hole
Pin Sayısı 3 —
Technology HEXFET (Gen 5) HEXFET Power MOSFET (5th generation)
RoHS Durumu Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLU024NPBF
FET Type — N-Channel, Logic-Level
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 65 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 45 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 3.3 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 110 C/W (50 C/W PCB-mounted)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free plating)
Qualification — JEDEC standard
Gate Drive Voltage (optimized) — 10 V (capable of 4.5 V)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin