IRFR9024NTRPBF vs IRLU024NPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR9024NTRPBF بذریعہ Infineon اور IRLU024NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR9024NTRPBF IRLU024NPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) $0.17 —
Polarity P-Channel —
VDS (Drain-Source Voltage) -55 V —
Continuous Drain Current (Tc=25C) -11 A —
پلسڈ ڈرین کرنٹ [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
VGS(th) (Threshold Voltage) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
RDS(on) Max at VGS=-10V 175 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 12.7 nC 10 nC (typical, per listing)
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) 38 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C -55C to +175C
پیکیج TO-252AA (DPAK) IPAK (TO-251AA), Through Hole
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Through Hole
پن کی تعداد 3 —
Technology HEXFET (Gen 5) HEXFET Power MOSFET (5th generation)
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLU024NPBF
FET Type — N-Channel, Logic-Level
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 65 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 45 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 3.3 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 110 C/W (50 C/W PCB-mounted)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free plating)
Qualification — JEDEC standard
Gate Drive Voltage (optimized) — 10 V (capable of 4.5 V)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں