IRFS7440TRLPBF vs IRFS4010TRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFS7440TRLPBF tarafından Infineon ve IRFS4010TRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFS7440TRLPBF IRFS4010TRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series StrongIRFET —
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 120 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 208 W —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 2.5 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 90 nC (typical) 143 nC
Gate Drive Voltage (optimized) 10 V (normal level) —
Operating Frequency Range (optimized) <100 kHz —
Paket TO-263 (D2PAK), surface mount D2PAK (TO-263AB), surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: junction temperature range] —
RoHS Durumu Compliant (lead-free) Compliant
Qualification JEDEC standard JEDEC standard
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 180 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 4.7 mOhm
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — Plus or minus 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 375 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +175C
Gate Drive Voltage — 10 V (normal level, optimized)
MSL Seviyesi — 1

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin