IRFZ48NPBF vs IRLB8748PBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFZ48NPBF tarafından Infineon ve IRLB8748PBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFZ48NPBF IRLB8748PBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 14 mΩ (maximum) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC 15 nC typical
Power Dissipation (PD) at TC 130 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Paket TO-220AB (through-hole) —
Montaj Türü Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (advanced planar) —
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
RoHS Durumu Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
Qualification Standard Industrial market JEDEC (Industrial market per datasheet)
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 92 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.8 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 75 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C (junction)
Package Type — TO-220AB through-hole
Technology Family — StrongIRFET / HEXFET
Channel Type — N-Channel
Logic-Level Gate Drive — Yes (optimized for 5V VGS)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin