IRL3705NPBF vs IRFB7534PBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRL3705NPBF tarafından Infineon ve IRFB7534PBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRL3705NPBF IRFB7534PBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 89 A —
Pulsed Dræn Akımı [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (P_D) at Tc 170 W —
On-Resistance R_DS(on) 10 mOhm (typical, V_GS = 5 V) —
Gate Threshold V_GS(th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Q_g 65.3 nC —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Technology HEXFET (planar cell, fifth generation) StrongIRFET™ (planar N-channel)
Paket TO-220AB (3-pin through-hole) TO-220AB
Montaj Türü Through Hole Through Hole
Gate Drive Level Logic-level —
Avalanche Rated Yes (ruggedized single-pulse avalanche) —
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
RoHS Durumu Compliant (per PBF suffix) Compliant (PbF suffix)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFB7534PBF
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 195 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 294 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.4 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 3.7 V (typ)
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Avalanche Energy Rated — Yes
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C
MSL Seviyesi — MSL1 (unlimited floor life)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin