IRL540NSTRLPBF vs IRLR3410TRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRL540NSTRLPBF tarafından Infineon ve IRLR3410TRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRL540NSTRLPBF IRLR3410TRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 36 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 60 A
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 44 mΩ —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level —
Total Gate Charge (Qg) 49.3 nC 22.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 140 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C —
Paket TO-263 (D2PAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (tape and reel)
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
RoHS Durumu Compliant (LPBF suffix indicates lead-free) —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLR3410TRLPBF
Technology — HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 105 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V]
Gate-Source Threshold VGS(th) typ — 2.0 V
Gate Drive Level — Logic level (5V capable)
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 79 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +175C
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free)
Avalanche Rated — Yes (UIS tested)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin