IRLL024NTRPBF vs IRF8714TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLL024NTRPBF tarafından Infineon ve IRF8714TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRLL024NTRPBF | IRF8714TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | N-Channel | — |
| FET Type | MOSFET, Metal Oxide | N-Channel |
| Operating Mode | Enhancement Mode | — |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 3.1 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 4.4 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 0.065 ohm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 10.4 nC | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic Level (5 V drive capable) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range] |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Ta | 1.0 W | — |
| Maximum Operating Junction Temperature | 175 C | — |
| Paket | SOT-223 (4-pin) | SO-8 (8-SOIC) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET Power MOSFET | HEXFET / StrongIRFET (planar MOSFET) |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 14 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 8.7 mΩ |
| Gate Charge (Qg) typical | — | 8.1 nC |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.5 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +150C (junction) |
| Pin Sayısı | — | 8 |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Lead-Free / RoHS | — | Lead-Free / RoHS Compliant |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per Infineon package qualification) |