IRLR3114ZTRPBF vs IRLR3636TRLPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLR3114ZTRPBF tarafından Infineon ve IRLR3636TRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRLR3114ZTRPBF | IRLR3636TRLPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | IR HEXFET® (IR MOSFET™) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) | 42 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 130 A | [DATA_NEEDED: IDM rating] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 16 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.5 V (typ) | 1.0 V to 2.5 V (logic-level) |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 4.5 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V | 4.9 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 40 nC @ VGS=4.5 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 3.81 nF | — |
| Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) | 140 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 C to +175 C | — |
| Paket | TO-252AA (DPAK) surface mount | TO-252AA (DPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 3 (2 + tab) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) | — | 50 A |
| Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) | — | 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating] |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 6.8 mΩ |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (QG) | — | 33 nC |
| Power Dissipation (PD, TC=25°C) | — | 143 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix) |
| Avalanche Rated | — | Yes (per Infineon datasheet family) |