IRLR3114ZTRPBF vs IRLR3636TRLPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLR3114ZTRPBF بذریعہ Infineon اور IRLR3636TRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRLR3114ZTRPBF | IRLR3636TRLPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | IR HEXFET® (IR MOSFET™) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) | 42 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 130 A | [DATA_NEEDED: IDM rating] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 16 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.5 V (typ) | 1.0 V to 2.5 V (logic-level) |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 4.5 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V | 4.9 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 40 nC @ VGS=4.5 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 3.81 nF | — |
| Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) | 140 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 C to +175 C | — |
| پیکیج | TO-252AA (DPAK) surface mount | TO-252AA (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پنز کی تعداد | 3 (2 + tab) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) | — | 50 A |
| Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) | — | 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating] |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 6.8 mΩ |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (QG) | — | 33 nC |
| Power Dissipation (PD, TC=25°C) | — | 143 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix) |
| Avalanche Rated | — | Yes (per Infineon datasheet family) |