IRLR7843TRPBF vs IRLR2905TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLR7843TRPBF tarafından Infineon ve IRLR2905TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRLR7843TRPBF | IRLR2905TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | 161 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | 140 W | — |
| On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=10V | 3.3 mOhm | — |
| On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | 4.5 mOhm (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 34 nC | — |
| Gate-to-Source Voltage Max | ±20 V | — |
| Avalanche Energy (Eas) | Fully characterized | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C | — |
| Paket | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET | HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix = lead-free) | Yes / Compliant |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 42 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 27 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate Charge (Qg) | — | 32 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 110 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55C to +175C |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |