IRLR7843TRPBF vs IRLR2905TRPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLR7843TRPBF מאת Infineon ו IRLR2905TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRLR7843TRPBF | IRLR2905TRPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | 161 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | 140 W | — |
| On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=10V | 3.3 mOhm | — |
| On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | 4.5 mOhm (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 34 nC | — |
| Gate-to-Source Voltage Max | ±20 V | — |
| Avalanche Energy (Eas) | Fully characterized | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C | — |
| מארז | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET | HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix = lead-free) | Yes / Compliant |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 42 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 27 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate Charge (Qg) | — | 32 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 110 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55C to +175C |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |