IRLR7843TRPBF vs IRLR2905TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRLR7843TRPBF توسط Infineon و IRLR2905TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF - 30V 161A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR7843TRPBF - 30V 161A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR7843TRPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRLR7843TRPBF IRLR2905TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C 161 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 140 W —
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=10V 3.3 mOhm —
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=4.5V 4.5 mOhm (typ) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 34 nC —
Gate-to-Source Voltage Max ±20 V —
Avalanche Energy (Eas) Fully characterized —
محدوده دمای کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET HEXFET (IR MOSFET, fifth generation)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) Yes / Compliant
FET Type — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 27 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge (Qg) — 32 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
دمای اتصال کاری — -55C to +175C
Avalanche Rated — Yes
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Gate Drive — Logic-level compatible

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت