IRLS3036TRLPBF vs IRFB4020PBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLS3036TRLPBF tarafından Infineon ve IRFB4020PBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRLS3036TRLPBF | IRFB4020PBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | N-Channel | — |
| Technology | IR HEXFET (planar DMOS) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 270 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C | 195 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | 1100 A | — |
| Rds(on) max @ Vgs=10V | 1.9 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) | Logic level (see datasheet for exact value) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ | 91 nC | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) max | [DATA_NEEDED: Vgs max +/- V] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 380 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C | — |
| Paket | D2PAK (TO-263), surface mount | TO-220AB (through-hole) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Through Hole |
| MSL Seviyesi | 1 | — |
| RoHS Durumu | Compliant (PBF suffix) | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| Integrated Body Diode | Yes (avalanche rated) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 18 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 100 W |
| RDS(on) Maximum | — | 100 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) Maximum | — | 20 V |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | — | 1.43 C/W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | 175 C (max) |
| Pin Sayısı | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Lead-Free (PbF suffix) | — | Yes |
| Market Qualification | — | Consumer |
| Recommended Use | — | Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications |