IRLTS2242TRPBF vs IRFR5410TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLTS2242TRPBF tarafından Infineon ve IRFR5410TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLTS2242TRPBF IRFR5410TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -20 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -6.9 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.0 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 32 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS absolute max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Gate Drive Voltage (logic level) 4.5 V (fully enhanced), 2.5 V capable —
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET (advanced process, Gen 5)
Paket TSOP-6 (Micro 6) TO-252AA (DPAK), surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) -55 °C to +150 °C (TJ)
Package Thermal Resistance (RthJA) [DATA_NEEDED: RthJA on 1 inch FR-4 PCB] —
MSL Seviyesi MSL1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
Klorürsüz Yes —
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C — -13 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V — 205 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) typ — 70 nC
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C — 66 W
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS Status — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)
RDS(on) Test Conditions — VGS = -10 V, ID = -7.0 A

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin