IRLTS2242TRPBF vs IRFR5410TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRLTS2242TRPBF bằng Infineon và IRFR5410TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRLTS2242TRPBF IRLTS2242TRPBF - 20V P-Ch HEXFET MOSFET, TSOP-6 | Infineon

IRLTS2242TRPBF - 20V P-Ch HEXFET MOSFET, TSOP-6 | Infineon

IRLTS2242TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRLTS2242TRPBF IRFR5410TRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -20 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -6.9 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.0 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 32 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS absolute max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Gate Drive Voltage (logic level) 4.5 V (fully enhanced), 2.5 V capable —
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET (advanced process, Gen 5)
Hộp TSOP-6 (Micro 6) TO-252AA (DPAK), surface mount
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C (junction) -55 °C to +150 °C (TJ)
Package Thermal Resistance (RthJA) [DATA_NEEDED: RthJA on 1 inch FR-4 PCB] —
Cấp MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Trạng thái RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Đông trùng haogen Yes —
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C — -13 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V — 205 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) typ — 70 nC
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C — 66 W
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS Status — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)
RDS(on) Test Conditions — VGS = -10 V, ID = -7.0 A

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá