IRLZ34NSTRLPBF vs IRFR5305TRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLZ34NSTRLPBF tarafından Infineon ve IRFR5305TRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLZ34NSTRLPBF IRFR5305TRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 110 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) at VGS=5V 35 mOhm (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (5 V drive compatible) [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC —
Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Power Dissipation (Tc) 68 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Paket D2PAK (TO-263), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Built-in Body Diode Yes —
Configuration Single with built-in diode —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Switching Frequency Optimization Below 100 kHz —
Cell Structure HEXFET planar (5th generation) —
Qualification JEDEC standard —
RoHS Durumu Compliant (Pb-free) —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -31 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V — 65 mΩ
RDS(on) max at VGS=-5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +175C
Technology — HEXFET fifth-generation planar MOSFET
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free, suffix "PBF")
Tape & Reel Orientation — Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin