IRLZ34NSTRLPBF vs IRFR5305TRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLZ34NSTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFR5305TRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLZ34NSTRLPBF IRFR5305TRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 110 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) at VGS=5V 35 mOhm (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (5 V drive compatible) [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC —
Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Power Dissipation (Tc) 68 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
پیکیج D2PAK (TO-263), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Built-in Body Diode Yes —
Configuration Single with built-in diode —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Switching Frequency Optimization Below 100 kHz —
Cell Structure HEXFET planar (5th generation) —
Qualification JEDEC standard —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free) —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -31 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V — 65 mΩ
RDS(on) max at VGS=-5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
Technology — HEXFET fifth-generation planar MOSFET
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free, suffix "PBF")
Tape & Reel Orientation — Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں