IRLZ34NSTRLPBF vs IRFS4010TRLPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLZ34NSTRLPBF tarafından Infineon ve IRFS4010TRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRLZ34NSTRLPBF | IRFS4010TRLPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 110 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) at VGS=5V | 35 mOhm (typical) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level (5 V drive compatible) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | 16.7 nC | 143 nC |
| Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 68 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Paket | D2PAK (TO-263), surface mount | D2PAK (TO-263AB), surface mount |
| Built-in Body Diode | Yes | — |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Switching Frequency Optimization | Below 100 kHz | — |
| Cell Structure | HEXFET planar (5th generation) | — |
| Qualification | JEDEC standard | JEDEC standard |
| RoHS Durumu | Compliant (Pb-free) | Compliant |
| Technology | — | IR MOSFET (HEXFET) |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 180 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4.7 mOhm |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | Plus or minus 20 V |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 375 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55C to +175C |
| Gate Drive Voltage | — | 10 V (normal level, optimized) |
| MSL Seviyesi | — | 1 |