ISA150233C03LMDSXTMA1 vs IRF7854TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISA150233C03LMDSXTMA1 tarafından Infineon ve IRF7854TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
ISA150233C03LMDSXTMA1 ISA150233C03LMDSXTMA1 - 30V OptiMOS 3 Dual N+P MOSFET | Infineon

ISA150233C03LMDSXTMA1 - 30V OptiMOS 3 Dual N+P MOSFET | Infineon

ISA150233C03LMDSXTMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISA150233C03LMDSXTMA1 IRF7854TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Configuration Dual N-channel + P-channel (1 N + 1 P) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 80 V
N-channel Continuous Drain Current (Ta) 7.6 A —
N-channel Continuous Drain Current (Tc) 10.2 A —
P-channel Continuous Drain Current (Ta) 6.6 A —
P-channel Continuous Drain Current (Tc) 8.8 A —
Total Power Dissipation (Ta) 1.4 W —
Total Power Dissipation (Tc) 2.5 W —
Paket PG-DSO-8-920 (SO-8 with thermal pad) SO-8
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Marking Code 1523C03L —
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET HEXFET (planar N-channel)
Channel Type N-channel + P-channel enhancement mode —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C (junction) -55°C to +150°C (TJ)
RoHS Durumu Compliant —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 10 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C — 2.5 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 13.4 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max — 4.9 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)
Qualification — JEDEC industrial, Normal level
Solder Process — Reflow and wave-solderable
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin