ISC008N06LM6ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC008N06LM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISC015N06NM5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC008N06LM6ATMA1 | ISC015N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 44 A | — |
| Pulsed Drain Current (ID, pulse) at Tc | 378 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 221 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic Level (1.0 V to 2.4 V typical) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C (Tj) | -55 C to +175 C |
| Package Type | PG-TDSON-8 (Surface Mount) | — |
| Montaj Stili | Surface Mount, Tape & Reel | — |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS / Lead-Free Status | RoHS Compliant, Lead-Free | — |
| Klorürsüz | Yes | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | — | 259 A |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 1.5 mOhm |
| Total Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Total Power Dissipation (TC) | — | 188 W |
| Paket | — | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down |
| Montaj Türü | — | Surface Mount |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | 1 |