ISC011N04NM7VATMA1 vs IAUC120N06S5N011ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC011N04NM7VATMA1 tarafından Infineon ve IAUC120N06S5N011ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC011N04NM7VATMA1 IAUC120N06S5N011ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor OptiMOS-5
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 256 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.1 mΩ —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 136 W —
Gate Threshold Voltage (Vth) Up to 3.2 V —
Technology Trench MOSFET, silicon —
Paket PG-TDSON-8 (source-down) PG-TDSON-8-53 (SSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Short-Circuit Withstand Yes (current-limited) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C (TJ) -55°C to +175°C (Tj)
RoHS Compliance Compliant (per Infineon product page) Compliant
MSL Seviyesi MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) — 120 A (Tc=25°C, Vgs=10V)
Pulsed Drain Current (Idm) — 310 A (Tj)
On-Resistance Rds(on) max — 1.1 mΩ at Vgs=10 V
Gate-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total value]
Power Dissipation (Pd) — 188 W (Tc=25°C)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin