ISC011N04NM7VATMA1 vs IAUCN08S7L024ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC011N04NM7VATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN08S7L024ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC011N04NM7VATMA1 | IAUCN08S7L024ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 38 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 256 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.1 mΩ | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 136 W | — |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | Up to 3.2 V | — |
| Technology | Trench MOSFET, silicon | OptiMOS™ 7 N-channel trench MOSFET |
| Paket | PG-TDSON-8 (source-down) | PG-TDSON-8-34 (SSO8 5x6 mm²) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Short-Circuit Withstand | Yes (current-limited) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55C to +175C (Tj) |
| RoHS Compliance | Compliant (per Infineon product page) | — |
| MSL Seviyesi | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 177 A (Tj) |
| Continuous Drain Current (Silicon-limited) | — | 150 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 2.4 mΩ at VGS=10 V |
| Power Dissipation (PD) | — | 148 W (Tc) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| RoHS Durumu | — | Compliant |