ISC011N04NM7VATMA1 vs IAUCN08S7L024ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של ISC011N04NM7VATMA1 מאת Infineon ו IAUCN08S7L024ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | ISC011N04NM7VATMA1 | IAUCN08S7L024ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 38 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 256 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.1 mΩ | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 136 W | — |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | Up to 3.2 V | — |
| Technology | Trench MOSFET, silicon | OptiMOS™ 7 N-channel trench MOSFET |
| מארז | PG-TDSON-8 (source-down) | PG-TDSON-8-34 (SSO8 5x6 mm²) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Short-Circuit Withstand | Yes (current-limited) | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55C to +175C (Tj) |
| RoHS Compliance | Compliant (per Infineon product page) | — |
| רמת MSL | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 177 A (Tj) |
| Continuous Drain Current (Silicon-limited) | — | 150 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 2.4 mΩ at VGS=10 V |
| Power Dissipation (PD) | — | 148 W (Tc) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |