ISC015N06NM5ATMA1 vs IAUA210N10S5N024AUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC015N06NM5ATMA1 tarafından Infineon ve IAUA210N10S5N024AUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC015N06NM5ATMA1 IAUA210N10S5N024AUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 OptiMOS 5
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C 259 A —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 1.5 mOhm —
Total Power Dissipation (TA) 3 W —
Total Power Dissipation (TC) 188 W —
Paket PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down PG-HSOF-5-4 (7×8 mm² sTOLL)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C -55°C to +175°C (TJ)
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) MOSFET (Metal Oxide), N-Channel
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) 1 —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tj — 210 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C]
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Gate Charge Qg (typ) — [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V]
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C — 238 W
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free — Yes
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin