ISC017N04NM5ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC017N04NM5ATMA1 tarafından Infineon ve ISC011N04NM7VATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC017N04NM5ATMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 31 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 193 A | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V, ID=50A | 1.7 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. | 3.4 V | — |
| Gate Charge Qg at VGS=10V | 67 nC | — |
| Input Capacitance Ciss at VDS=20V | 4800 pF | — |
| Power Dissipation at TA=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation at TC=25C | 115 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55C to +175C | — |
| Paket | PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) | PG-TDSON-8 (source-down) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 256 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Technology | — | Trench MOSFET, silicon |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |