ISC017N04NM5ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC017N04NM5ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC011N04NM7VATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC017N04NM5ATMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 31 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 193 A | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V, ID=50A | 1.7 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. | 3.4 V | — |
| Gate Charge Qg at VGS=10V | 67 nC | — |
| Input Capacitance Ciss at VDS=20V | 4800 pF | — |
| Power Dissipation at TA=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation at TC=25C | 115 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +175C | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) | PG-TDSON-8 (source-down) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 256 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Technology | — | Trench MOSFET, silicon |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |